หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IPS13N03LA G
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IPS13N03LA G-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
รายละเอียด:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
สินค้าคงคลัง:
12806142
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
EOg2
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IPS13N03LA G สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
OptiMOS™
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
25 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
30A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2V @ 20µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1043 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
46W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO251-3-11
แพคเกจ / เคส
TO-251-3 Stub Leads, IPak
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IPS13N
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,500
ชื่ออื่น ๆ
IPS13N03LA G-DG
SP000015133
IPS13N03LAG
IPS13N03LAGX
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
3 (168 Hours)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRFR18N15DTR
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFH7934TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
IRLR8726PBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
